За сімейства вхідних і вихідних характеристик графічним методом визначаємо малосигнальний параметри транзистора в робочій точці. Коефіцієнти h11. h12. h21. h22 є H - параметрами чотириполюсника.
h11е - вхідний опір, виміряний при короткому замиканні транзистора.
Знайдемо збільшення DUбе. D Іб. Для цього розглянемо дві точки на сімействі вхідних характеристик Б і В (рис.5)
в точці В: Iб1 = 0,06 мА, Uбе1 = 0,64В
в точці Б: Iб2 = 0,14мА, Uбе2 = 0,7 В
h21е - коефіцієнт передачі по току, вимірюваний при короткому замиканні на виході транзистора
Знайдемо збільшення D Ік. D Іб. Для цього розглянемо дві точки на сімействі вихідних характеристик Г і Д (рис.6), що знаходяться симетрично щодо робочої точки А.
в точці Д: Iк1 = 4,4мА Uке1 = 6В
в точці Г: Iк2 = 8мА Uке2 = 6В
h21е = 3,6 # 8729; 10 -3 / 0,05 # 8729; 10 -3 = 72
Розглянемо дві точки Е і Ж на сімействі вихідних характеристик на кривій (рис.6)
h22е - вихідна провідність, яка вимірюється при холостому ході на вході транзистора.
в точці Е. Iк1 = 5,1мА, Uке1 = 2,6 В
в точці Ж: Iк2 = 6,2мА, Uке2 = 9 В
Коефіцієнт зворотного зв'язку, вимірюваний при холостому ході на вході транзистора:
Для всіх типів біполярних транзисторів і робочих точок прийнято
(D Ік. D Ік, DUбе. DUке - збільшення, взяті симетрично щодо робочої точки).
Малюнок 5 - графічний метод визначення малосигнальних параметрів транзистора в робочій точці за вихідний характеристиці
Визначення величин еквівалентної схеми транзистора
Для розрахунку фізичних величин скористаємося малосигнальної високочастотної схемою транзистора - схемою заміщення біполярного транзистора (схема Джиаколетто) представленої на рис.6.
Малюнок 6 - схема заміщення біполярного транзистора
Бар'єрна ємність колекторного переходу
= 12 - 5,8 - (0.58 + +0,1) = 4,99В
Вихідний опір транзистора:
Опір колекторного переходу;
Опір емітерного переходу для емітерного струму;
Опір емітерного переходу для базового струму;
Розподіл опору бази;
Дифузійна ємність емітерного переходу;
Власна постійна часу транзистора;