Хімія і хімічна технологія
Досвід показує, що є речовини, які завжди Самба-довільно поляризовані. Спонтанна поляризація існує у них у всьому інтервалі температур до температури плавлення. Ці діелектричні речовини називаються Піроелектріки. [C.275]
Піроелектріки [20] можуть бути лише кристали, в яких існує виділений напрям, яке залишається незмінним при всіх перетвореннях симетрії (див. Гл. I). Цій умові задовольняють лише 10 кристалографічних класів з 32 1, 3, 4, 7, 9, 12, 16, 19, 21, 24 (див. Табл, 1). Типовим представником піроелектричних кристалів є турмалін (сердолік). [C.275]
Піроелектричний ефект зазвичай ускладнюється тим, що кожен піроелектрик є одночасно і п'єзоелектриком. Тому неоднорідне зміна температури кристала викликає деформацію, а остання породить вторинну поляризацію п'єзоелектричного походження, що накладаються на первинну піроелектричного поляризацію. [C.275]
Вище ми говорили, що спонтанна поляризація у сегнетоелектриків на відміну від піроелектрика існує в певному температурному інтервалі. Температура, при якій відбувається зникнення спонтанної поляризації. отримала назву сегнетоелектричної температури Кюрі ТС При температурі Тс, що відзначає фазовий перехід. спостерігається максимум діелектричної проникності е. Вище температури Кюрі. або, як кажуть. в параелектріческой фазі. температурна залежність задовольняє закону Кюрі-Вейса (498). Слід розрізняти температуру Кюрі-Вейса 0 і температуру Кюрі Тс-У сегнетоелектриків, що зазнають перехід другого роду. 0 збігається з Тс, тоді як у сегнетоелектриків, еход першого роду. ці температури різні [19]. [C.277]
Надзвичайно важливою характеристикою отриманих твердих розчинів як піроелектриків є істотне зниження Т. в область кімнатних температур. що призводить до істотного збільшення піроелектричного відгуку при температурах нижче 100 ° С величина у при 20-50 ° С лежить в межах 0,3-0,8 нк / (см К). [C.29]
Принцип структурного ускладнення, як правило, означає втрату кристалічним матеріалом деяких елементів симетрії при його легуванні. Якщо в результаті подібного структурного ускладнення в кристалі виникають полярні осі, він набуває п'єзоелектричні властивості. а якщо виявиться, що полярна вісь єдина, то кристал одночасно стає і піроелектриком. [C.168]
Піроелектріки - це кристалічні діелектрики, що володіють спонтанною поляризацією. тобто поляризацією під час відсутності електричного поля і ін. зовнішніх впливів. Кристали перших 10 з перерахованих для пьезоелектріков класів відносяться до Піроелектріки, тобто в них виникає поляризація при відсутності зовнішніх впливів. Зазвичай спостерігається не сама спонтанна поляризація. а її зміна при швидкій зміні температури (піроелектричний ефект). Типовий піроелектрик - турмалін. У ньому при зміні температури на 1 С виникає електричне поле -400 В / см. Все піроелектрики є п'єзоелектрик, але не навпаки. Деякі піроелектрики мають сегнетоелектричними властивостями [95]. [C.260]
Піроелектрик - діелектрик, що володіє піроелектричні ефектом. [C.399]
Особливою різновидом піроелектриків є сегнетоелектрики. При нагріванні вони зазвичай переходять в непіроелектріческое стан. Спонтанна поляризація сегнетоелектриків відчуває більш істотні (ніж у інших піроелектриків) зміни під впливом зовнішнього впливу (зміни температури. Механічної напруги. Електричного поля). Тому для сегнетоелектриків характерні великі значення піроелектричних і п'єзоелектричних коефіцієнтів і діелектричної проникності. Кристал сегнетоелектріка зазвичай розбитий на домени з різними напрямками температурно-залежної частини спонтанної поляризації. [C.418]
Окремим випадком піроелектриків є сегнетоелектрики (від назви кристалів сегнетової солі Максим 4Н40в НДО у якій це явище вперше було виявлено). У нпх також мимовільно виникає поляризація, але лише в деякому інтервалі температур. Щоб описати найбільш суттєві особливості явища сегнетоелектрики, введемо [19] модель гіпотетичного двовимірного сегнетоелектричного кристала з хімічною формулою АВ (рис. 118, а). Іони А, заряд яких ми припускаємо негативним, розташовані в вузлах простий квадратної решітки. Іони В, мають позитивний заряд. розташовані на горизонтальних лініях, що з'єднують іони А. Припустимо тепер, що при даній температурі Т все іони В розташовані ближче до іонів А, що знаходиться зліва. Ми можемо розглядати кожну групу АВ як диполь. При цьому структура може бути схематично представлена ансамблем диполів. спрямованих в одну сторону (упорядкований стан), як показано у верхній частині рис. 118, б. В цьому випадку говорять. що кристал спонтанно поляризований. [C.275]
Стеклокристаллические піроелектрики на основі стілвелліто-подібних твердих розчинів [c.27]
Результати проведених досліджень свідчать про те, що матеріали на основі стілвелітових фаз можуть бути віднесені до перспективними Піроелектріки, що підтверджується і розробкою нового типу піроелектриків на основі стілвелліта у вигляді стеклокристаллических текстур. [C.29]
Нек-риє кристалічної Д мають мимовільної (спонтанної) поляризацією в отсутствне елект поля, що пов'язано з досить низькою симетрією кристалів (див Піроелектріки) Особлива група піроелектриків - сег / е / ио-електрики, у яких брало величина спонтанної поляризації різко змінюється з т -рой і при певній т-ре зникає (фазовий перехід 2-го роду, см Кюрі точка) [c.108]
Сегнетоелектриків (від назв. Сегнетової солі на прізвище синтезировавшего її П. Сеньета, Р. Seignette), моно-шш полікрісталліч. полярні діелектрики. володіють в певному інтервалі т-р спонтанної (мимовільної) поляризацією різновид піроелектриків. Під дією зовн. елект. поля, пружних напружень або при зміні т-ри в С. змінюються величина і напрямок спонтанної поляризації. хутро. оптич. і теплофізичних. св-ва. [C.308]
У п'єзоелектричних кристалах поляризація і електричний заряд протилежних граней виникають під дією прикладеного механічного напруження. Як і в разі сег-іето-і піроелектриків, для виникнення п'єзоелектричних властивостей. необхідно, щоб кристал ставився до однієї з нецентросиметричних точкових груп. Поява п'єзоелектричного ефекту визначається кро.ме кристалічної структури матеріалу ще й напрямком прикладеної напруги. Так. наприклад, в кварці поляризація виникає ири стисненні вздовж напрямку [ПО] і відсутня, якщо механічне напруження направлено в.толь [001]. Виникає поля-рі.аація Р і напруга про пов'язані сооіюшеніем [c.122]
Оксоброміди вісмуту-телуру як високотемпературних піроелектриків і спосіб їх отримання розглянуті в [215]. З'єднання Bi2 Te OxBr2, де а) х = 9 і і = 2, або б) л = 49 і і = 10, отримують реакцією стехиометрических кількостей оксоброміда вісмуту, діоксиду телуру і оксиду вісмуту під залишковим тиском 10 мм рт. ст. при 630-670 ° С. Вивчено температурна залежність спонтанної поляризації та інші характеристики піроелектриків. Нові високотемпературні піроелектрики у всій області існування невласною сегнетоелектричної фази (20-800 ° С) перевершують відомий піроелектрик - сегнетоелектрік танталат літію. [C.272]
Піроелектричні перетворювачі засновані на властивості деяких кристалічних діелектриків (піроелектриків) електризуватися при нагріванні або охолодженні. Поверхнева щільність виникаючих зарядів прямо пропорційна градієнту температур на гранях піроелектрика. На основі піроелектриків створені перетворювач у вигляді піроелектричного конденсатора з поглинає інфрачервоне випромінювання покриттям в якості обкладок і передає електронно-променева трубка (пірікон) з мішенню з піроелектричного матеріалу. Піроелектричні перетворювачі неселективні і працюють в широкому спектральному діапазоні (Я.К 14 мкм). Чутливість піроелектричного конденсатора висока і досягає 20 В / К незалежно ог його площі при постійній часу 0,1-10 мкс. Оскільки піроелектрик реагує на перепад температур. його доцільно застосовувати для контролю в динамічному режимі. У разі необхідності використання його в статичному режимі або при повільних змінах потоку інфрачервоного випромінювання перед піроелектричні перетворювачем встановлюють переривник потоку або модулятор. [C.185]
У деяких діелектриків поляризація (і пов'язані з нею електричні ефекти) виникають при зміні температури. Це є наслідком температурної залежності спонтанної (мимовільної) поляризації, яка при постійній температурі екранізується носіями заряду. і зразок стає електрики нейтральним. Речовини, що володіють залежить від температури спонтанною поляризацією. називаються Піроелектріки. [C.418]
За = 1,560 Пе = 1,580 (+) Ендоеффект 400-600 - дегідратація з виділенням MgO розчин. в к-тах 925,16 46,99 Х15 = -0,378 піроелектрик в УФЛ - блакитний, темномаліновий [c.135]
Ендоеффект 300-540 - дегідратація Екзоеффект 640-700 ° - освіту РсгОз і K2SO4 Fe2 (S04) j розчин. в НС1 і HNO3, розчини вуглекислих лугів разл. з утворенням гідроксиду заліза Піроелектріки среднемагнітен [c.201]
В останні роки з'явилися нові розділи науки про електричні властивості полімерів. До істотних досягнень хімії та технології полімерів відноситься розробка (на додаток до полімерних діелектриків) полімерних напівпровідників і електропровідних матеріалів, вивчення і застосування яких присвячені роботи В. Е. Гуля, Н. С. Еніколопова та інших дослідників. Відкрито унікальні п'єзоелектричні властивості полівініліденфторнда, активно досліджуються полімерні Електрети (А. Н. Губкін. Г. А. Лущейкін), а також піроелектрики. Все це розширює сферу застосування полімерних матеріалів в техніці. [C.8]
Перед сучасної неорганічної хімією стоїть завдання створення нових матеріалів для потреб техніки. Для їх отримання необхідні відомості про стан і фазовому складі систем. На основі оксидних з'єднань елементів П1 і V груп в даний час отримані люмінофори, сегнето-, пьезо -, піроелектрики [1-4]. З'єднання використовуються в лазерній техніці, оптоелектроніці і т. Д. Причому багато хто з них срав- [c.98]
Хімічний енциклопедичний словник (1983) - [c.443]
Нове в технології сполук фтору (1984) - [c.223]
Полімерні Електрети Видання 2 (1984) - [c.8]
Введення в фізичну хімію і кристалохімії напівпровідників Видання 2 (1973) - [c.375. c.377. c.385]