Явище вторинного пробою і модуляція товщини бази
При збільшенні напруги (зворотного) на колекторному переході транзистора, за рахунок ударної іонізації, може наступити явище лавинного розмноження носіїв заряду, що призведе (як і в одиночному p-n переході) до електричного пробою. Якщо не вжити заходів до обмеження потужності електричного пробою, він може перерости в тепловий пробій з подальшим руйнуванням колекторного переходу.
Однак при значних токах колектора в транзисторі може наступити тепловий пробій колекторного переходу без попереднього електричного пробою (навіть при невеликих напругах на колекторі). Такий пробій викликається перегрівом колекторного переходу і отримав назву вторинного пробою.
Для забезпечення підсилюючих властивостей в транзисторі принципово необхідна істотна різниця концентрацій основних носіїв заряду в базовій і колекторної областях. Тому колекторний перехід є сильно несиметричним: шар, збіднений носіями заряду, тягнеться більш глибоко в базову область. У зв'язку з цим, зміна зворотної напруги на колекторному переході буде змінювати товщину збідненого шару в базі, а значить змінювати ефективну товщину бази. Таке явище називається модуляцією товщини бази або ефектом Ерлі. Якщо при цьому і на емітерний перехід буде діяти зворотна напруга, а базова область буде виконана досить тонкої (що також необхідно для поліпшення підсилюючих властивостей транзистора), може наступити ефект змикання (з'єднання) колекторного і емітерного переходів. Таке явище носить назву «проколу» бази. що призводить до незворотних явищ і виходу транзистора з ладу.
Еквівалентна схема транзистора для режиму постійного струму
- опір емітерний області (шару) (мало - десятки Ом);
- опір колекторної області (шару) (мало - кілька десятків Ом);
- опір (поперечне) базової області, (невелика, база тонка);
- опір емітерного переходу (при прямому включенні <100м);
- опір колекторного переходу (при зворотному включенні велике, від одиниць кОм до десятків кОм);
- поперечне опір бази (сотні Ом).
Напруга завжди більше, ніж, так як частина напруги втрачається на.