джерела іонів
Ми випускаємо джерела іонів в двох конфігураціях - круглі, з трубчастим пучком, і протяжні зі значним лінійним ділянкою. Погонна щільність іонного струму до 18 мА / см довжини щілини, або 36 мА / см довжини робочої зони лінійного джерела. Діапазон робочих напруг - 1..5 кВ. Низька розбіжність пучка дозволяє розміщувати джерело далеко від мішені і знизити швидкість його запилення. Вторинна плазма і ефект резонансної перезарядки іонів дозволяє здійснювати обробку діелектриків без застосування катодів-компенсаторів.
Блоки й устаткування
Блоки й устаткування вакуумної системи - погоджують пристрої змінного імпедансу, блоки управління, трансформатори, системи охолодження та водопостачання. Всі пристрої повністю автоматизовані, з можливістю збереження параметрів випробувань і контролю системи по локальній мережі або віддалено через Інтернет.
Генератори плазми
Безелектродна плазма індуктивного високочастотного розряду - універсальне середовище для проведення широкого спектру технологічних процесів: іонну і плазмохімічне травлення, осадження матеріалів (в тому числі реактивне), іонно-плазмова обробка поверхні (полірування, азотування, карбідізація) і ряду інших. Універсальне технологічне пристрій, розроблене - РПГ-250 для створення однорідного потоку іонів на великій площі, і РПГ-128, що дозволяє отримати значно вищі концентрації плазми меншою однорідності при тій же потужності.
Магнетрони
Наші магнетрони дозволяють виробляти напилення широкого ряду матеріалів прямо з мішені: металів, сплавів і діелектриків в реактивному режимі (SiO2. Si3 N4. TiO2. TiN, ITO, ZnO, Al2 O3. AlN, MgO, Ta2 O5. TaN та ін.) Випускаються магнетрони круглі, з діаметром мішені 100 мм і протяжні, з довжиною мішені 145-1200 мм і шириною мішені 80-100 мм. Товщина мішені - до 20 мм на протяжних магнетронах і до 10 мм на круглих.
Розроблено креативним клубом JTemplate