Надіслати свою хорошу роботу в базу знань просто. Використовуйте форму, розташовану нижче
Студенти, аспіранти, молоді вчені, які використовують базу знань в своє навчання і роботи, будуть вам дуже вдячні.
федеральне державне бюджетне освітня установа вищої професійної освіти
Ніжневартовскійгосударственнийуніверсітет
13.03.02 «Електроенергетика та електротехніка»
Виконав: студент групи 9351
Дунаєв Ігор Сергійович
Перевірив: кандидат технічних наук
Савченко Антон Анатолійович
Освіта електронів провідності
p-n перехід в напівпровідниках
особливості напівпровідників легування• InSb, InAs, InP, GaSb, GaP, AlSb, GaN, InN
• ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, HgSe, HgTe, HgS
• PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe
а також деякі оксиди свинцю, олова, германію, кремнію, а також ферит, аморфні скла і багато інших з'єднань (AIB III C2 VI. AIBV C2 VI. A II B IV C2 V. A II B2 II C4 VI. A II B IV C3 VI).
З'єднання A III B V. в основному, застосовуються для виробів електронної техніки, що працюють на надвисоких частотах
З'єднання A II B V використовують як люмінофори видимої області, світлодіодів, датчиків Холла, модуляторів.
З'єднання A III B V. A II B VI і A IV B VI застосовують при виготовленні джерел і приймачів світла, індикаторів і модуляторів випромінювань.
Окисні напівпровідникові сполуки застосовують для виготовлення фотоелементів, випрямлячів і сердечників високочастотних индуктивностей.
p-n перехід в напівпровідниках висновокРозміщено на Allbest.ru