напівпровідник, що містить одночасно донори і акцептори. Ел-ни, що віддаються донорами, захоплюються акцепторами, що призводить до зменшення концентрації n рухомих носіїв заряду. на-
відмінність навіть малої концентрації компенсує домішки (при деяких умовах) дозволяє управляти величиною і температурної залежністю концентрації осн. носіїв. Для напівпровідника n-типу, компенсованого акцепторами (N д >> Na, де Nд- концентрація донорів, Na- концентрація акцепторів), концентрація ел-нів в зоні провідності описується ф-лій:
тут Т mdash; абс. темп-ра, Nс- еф. щільність станів в зоні провідності, I - енергія іонізації донора, g0 і g1- статистич. ваги порожнього і заповненого донорних рівнів. При досить високих темп-pax, коли
(N д-Na) n1 / (Na + n1) 2 <<1 и n1>> Nа; n = N д-Nа. При низьких темп-pax, коли n1< З (2) випливає, що концентрація компенсуючих акцепторів сильно впливає на концентрацію ел-нів провідності і може змінювати її на багато порядків. Це означає, що введенням відповідних домішок можна змінювати електричні. оптич. та ін. св-ва ПП. • Див. Лит. при ст. Напівпровідники.Схожі статті