Власники патенту RU 2316404:
Відкрите акціонерне товариство "Завод ім. В.О. Дегтярьова" (RU)
Винахід відноситься до області обробки металів тиском і може бути використано при виготовленні тонкостінних одногофрових сильфонов. Виготовляють тонкостенную трубну заготовку і формують з неї одногофровий сильфон. Проводять міжопераційне термообробку для зняття внутрішніх напружень, калібру механічний вплив і остаточну термообробку сильфона для забезпечення геометричних розмірів і додання металу заданих механічних властивостей. Перед остаточною термообробкою здійснюють калібру механічний вплив до забезпечення різновисотних гофра по діаметру менше 0,08 мм. Підвищується якість. 2 з.п. ф-ли.
Винахід відноситься до технології виготовлення тонкостінних одногофрових сильфонов, використовуваних, зокрема, в збірної трубі ротора газової центрифуги.
Відомий спосіб виготовлення одногофрового сильфона, що включає виготовлення трубної заготовки, радіальну формовку гофра за допомогою рідини, яка подається в порожнину трубної заготовки, що утворює внутрішній герметизований обсяг матриці і осьову осадку заготовки в матриці при додатку внутрішнього тиску рідини на 3-6% менше, ніж при радіальної формуванні (див. патент N2192325, МПК В21D 15/00, 51/12).
Недолік способу в тому, що він не забезпечує виготовлення сильфона з висотою гофра високої точності і малої різновисотних гофра по колу.
Відомий спосіб виготовлення тонкостінного сильфона, що включає виготовлення тонкостінних трубних заготовок, складання трубних заготовок, їх спільне деформування з формуванням гофра сильфона і подальшу термічну обробку сильфона для забезпечення заданих механічних властивостей металу і геометричних розмірів сильфона (див. Патент N2164188, МПК В21D 15/00, С22F 1/10). Спосіб прийнятий за прототип.
Недолік способу в тому, що при остаточній термообробці гофр сильфона змінюється по висоті непередбачувано, що не дозволяє виготовити сильфон з висотою гофра високої точності і різновисотних менше 0,08 мм. Оскільки одногофровий сильфон є високонавантажених елементом труби ротора, висота і різновисотних гофра повинні бути високої точності.
Вибракування по висоті і різновисотних, що не задовольняє заданим вимогам, становить до 40% від числа що виготовляються одногофрових сильфонов.
Пропонованим винаходом вирішується завдання підвищення якості тонкостінних одногофрових сильфонов.
Технічний результат, що отримується при здійсненні винаходу, полягає в забезпеченні висоти гофра сильфона високої точності і різновисотних гофра менше 0,08 мм.
Зазначений технічний результат досягається тим, що у відомому способі виготовлення сильфона, що включає виготовлення тонкостінної трубної заготовки, формування з трубної заготовки одногофрового сильфона, міжопераційне термообробку для зняття внутрішніх напрузі, калібру механічний вплив і остаточну термообробку сильфона для забезпечення геометричних розмірів і додання металу заданих механічних властивостей , новим є те, що перед остаточною термообробкою здійснюють калібру хутра ическое вплив до забезпечення різновисотних гофра по діаметру менше 0,08 мм, механічний вплив здійснюють шляхом прикладання деформуючого зусилля до вершини гофра або за профілем гофра і радіусів сполучення полиць гофра з обичайками сильфона одночасно.
Введення в спосіб виготовлення сильфона калібрує механічного впливу на гофр сильфона перед остаточною термообробкою дозволяє забезпечити необхідну точність висоти гофра і різновисотних гофра по колу менше 0,08 мм.
На підставі вищевикладеного можна зробити висновок про те, що пропоноване винахід має "новизною" і "винахідницький рівень".
Спосіб здійснюється наступним чином.
Послідовно з товстостінної трубної заготовки за 3 або 4 операції ротаційного видавлювання виготовляють тонкостенную трубну заготовку. Після кожної операції ротаційного видавлювання заготовки розрізають на кільця, які піддають термообробці при температурі гарту 810 # x000B0 ;. 840 # x000B0; C для зняття напруги і забезпечення внутрішнього діаметра. Після останньої операції термообробки отримують тонкостінну трубну заготовку з розмірами: довжина - 60 мм, внутрішній діаметр - 125,6 мм, товщина стінки - 0,12 мм.
З отриманої заготовки формують сильфон шляхом впливу еластичною середовища на внутрішню поверхню трубної заготовки і подальшої накочення радіусів сполучення полиць гофра і обичайок сильфона. Після обрізки торцевих припусків сильфон піддають гарту на аустенитной термофіксірующей оправці при температурі 810 # x000B0 ;. 840 # x000B0; С. Після гарту сильфон вимірюють по висоті і різновисотних гофра. Сильфони з відступами по висоті і різновисотних гофра свердел допустимих значень встановлюють на оправлення і при обертанні сильфона гофр сильфона піддають калібру механічній дії по висоті шляхом додатка деформуючого зусилля інструменту до вершини гофра або за профілем гофра і радіусів сполучення полиць гофра з обичайками сильфона одночасно, після чого сильфон піддають старінню на термофіксірующей аустенитной оправці.
Таким чином, запропонований спосіб дозволяє забезпечити високу точність висоти гофра і різновисотних гофра менше 0,08 мм.
1. Спосіб виготовлення сильфона, що включає виготовлення тонкостінної трубної заготовки, формування з трубної заготовки одногофрового сильфона, міжопераційне термообробку для зняття внутрішніх напружень, калібру механічний вплив і остаточну термообробку сильфона для забезпечення геометричних розмірів і додання металу заданих механічних властивостей, що відрізняється тим, що перед остаточною термообробкою здійснюють калібру механічний вплив до забезпечення різновисотних гофра по діа етру менше 0,08 мм.
2. Спосіб за п.1, що відрізняється тим, що механічна дія здійснюють шляхом прикладання деформуючого зусилля до вершини гофра.
3. Спосіб за п.1, що відрізняється тим, що механічна дія здійснюють шляхом прикладання деформуючого зусилля за профілем гофра і радіусів сполучення полиць гофра з обичайками сильфона одночасно.