На принципових схемах можна зустріти позначення польового транзистора того чи іншого різновиду. Щоб не заплутатися і отримати найбільш повне уявлення про те, яка ж усе-таки транзистор використовується в схемі, можна порівняти умовне графічне позначення униполярного транзистора і його відмінні властивості і особливості
На зарубіжних електронних схемах можна побачити наступне позначення висновків уніполярних транзисторів:
Знаючи зарубіжні позначення висновків польового транзистора, буде легко розібратися в схемах імпортної електроніки.
Позначення польового транзистора з керуючим p-n - переходом (J-FET).
Отже. Транзистор з керуючим p-n - переходом позначається на схемах так:
n-канальний J-FET транзистор
p-канальний J-FET транзистор
Залежно від типу носіїв, які використовуються для формування провідного каналу (область, через яку тече регульований ток), дані транзистори можуть бути n-канальні і p-канальні. На графічному позначенні видно, що n-канальні транзистори зображаються зі стрілкою, спрямованої всередину, а p-канальні назовні.
Позначення МДП-транзистора.
Уніполярні транзистори МДП типу (MOSFET) мають трохи інше умовне графічне позначення, ніж транзистори J-FET c керуючим p-n переходом. MOSFET транзистори також можуть бути як n-канальними, так і p-канальними.
Транзистори MOSFET існують двох типів: з вбудованим каналом і індукованим каналом.
Різниця в тому, що транзистор з індукованим каналом відкривається тільки при подачі на затвор позитивного або тільки негативного порогового напруги. Гранична напруга (Uпор) - це напруга між висновком затвора та витоку, при якому польовий транзистор відкривається і через нього починає протікати струм стоку (Ic).
Полярність порогового напруги залежить від типу каналу транзистора. Для МДП-транзисторів з p-каналом до затвору необхідно докласти негативне «-» напруга, а для транзисторів з n-каналом позитивне «+» напруга. МДП-транзистори з індукованим каналом ще називають транзисторами збагаченого типу. Тому, якщо почуєте, що говориться про МДП-транзисторі збагаченого типу - знайте, це транзистор з індукованим каналом. Далі показано умовне позначення транзисторів з індукованим каналом.
n-канальний MOSFET транзистор
p-канальний MOSFET транзистор
Основна відмінність МДП-транзистора з індукованим каналом від польового транзистора з вбудованим каналом полягає в тому, що він відкривається тільки при певному значенні (U порогове) позитивного, або негативного напруги (залежить від типу каналу - n або p).
Транзистор же з вбудованим каналом відкривається вже при «0», а при негативній напрузі на затворі працює вобеднённом режимі (теж відкритий, але пропускає менше струму). Якщо ж до затвору докласти позитивне «+» напруга, то транзистор продовжить відкриватися і перейде в так званий режим збагачення - струм стоку буде збільшуватися. Даний приклад описує роботу n-канального МДП транзистора з вбудованим каналом. Транзистори з вбудованим каналом ще називають транзисторами збідненого типу. Далі показано їх умовне зображення на схемах.
n-канальний МДП транзистор з вбудованим каналом
p-канальний МДП транзистор з вбудованим каналом
На умовному графічному позначенні відрізнити транзистор з індукованим каналом від транзистора з вбудованим каналом можна по розриву вертикальної риси.
Іноді в технічній літературі можна побачити зображення МОП транзистора з четвертим висновком, який є продовженням лінії стрілки вказує тип каналу. Так ось, четвертий висновок - це висновок підкладки (substrate). Таке зображення польового МОП транзистора застосовується, як правило, для опису дискретного (тобто окремого) транзистора і використовується лише як наочна модель. При виготовленні МОП транзистора підкладку зазвичай з'єднують з висновком витоку.
MOSFET транзистор з виводом підкладки (substrate)
У потужних транзисторів МДП є одна особливість - це наявність «паразитного» біполярного транзистора. Щоб запобігти роботу «паразитного» біполярного транзистора застосовується наступна хитрість: Висновок витоку (S) з'єднують з підкладкою (substrate). При цьому відбувається з'єднання висновків база-емітер в структурі «паразитного» транзистора і він знаходиться в закритому стані, і не заважає нормальній роботі МДП-транзистора. На умовному позначенні ця особливість вказується за допомогою з'єднання виведення витоку МДП-транзистора і стрілкою, яка вказує тип каналу.
Позначення потужного МОП-транзистора
В результаті з'єднання витоку і підкладки в структурі польового МОП транзистора між витоком і стоком образуетсявстроенний діод. На роботу транзистора даний діод не впливає, оскільки в схему він включений в зворотному напрямку. У деяких випадках, вбудований діод, який утворюється через технологічні особливості виготовлення потужного МОП-транзистора можна використовувати на практиці. В останніх поколіннях потужних МОП-транзисторів вбудований діод використовується для захисту транзистора.
MOSFET транзистор з вбудованим діодом
Вбудований діод на умовному позначенні потужного МДП-транзистора може і не вказуватися, хоча реально такий діод присутній в будь-якому потужному польовому транзисторі.
Портал надає користувачам зручні та ефективні сервіс-послуги,
огляд останніх подій в сферах радіоелектроніки, а так же технологій
в цьому напрямку. Даний портал орієнтований на простір колишнього СНД.
Портал день за днем все більше наповнюється корисною інформацією,
доступними технологіями і нововведеннями. Кожен день RADIODVOR.COM продовжує
примножувати аудиторію і популярність.
Портал про радіоелектроніці
По всьому колишньому СНД