У разі контакту металу з напівпровідником р-типу при ФМ> ФП відбуватиметься перехід електронів з напівпровідника в метал, що приводить до виникнення зарядів в приконтактних шарах і появі електричного поля контактної різниці потенціаловEК. Відбувається вигин енергетичних зон вгору, що призводить до збагачення Пріконтактние шару напівпровідника дірками і різкого зниження опору цього шару (ріс.6.28а, б).
Незалежно від того, вироджується або НЕ вироджується напівпровідник, наявність збагаченого шару означає, що опір системи в цілому визначається нейтральним шаром напівпровідника і, отже, не залежить ні від величини, ні від полярності прикладеної напруги. Такі невипрямляющімі комбінації металу з напівпровідником називають омічними контактами.
Омічні контакти здійснюються в місцях приєднання металевих висновків до напівпровідникових верствам. Формування омічних контактів - завдання не менш важливе, ніж отримання випрямляють контактів. Вельми часто для зменшення опору контакту в напівпровіднику створюють область з високою концентрацією домішки.
Крім двосторонньої провідності, важливою властивістю омічного контакту є незначна час життя надлишкових носіїв заряду в збагаченому шарі напівпровідника. Тому вважають, що концентрації надлишкових носіїв на омічному контакті дорівнюють нулю.