Зворотна напруга на діоді Uо6р визначається можливістю пробою дио-да. Напруга пробою емітерного переходу мало внаслідок малої ширини n-p-переходу. Напруга пробою колекторного переходу значно більше, так як цей перехід ширше емітерного.
Зворотний струм Iо6р в кремнієвих діодах визначається струмом термогенерации. Так як колекторний перехід ширше емітерного, то струм термогенерации колектор-ного переходу iт.к більше струму термогенерации емітерного переходу iг.е. У середовищ-ньому, iг.е = 0,5-1,0 мА, iг.к = 15-30 мА.
Ємність діода Сд визначається ємністю відповідного p-n-переходу. У середовищ-ньому Ск-п = 0,5 пФ, Ск-б = 0,7 пФ.
Паразитна ємність на підкладку Сп, як правило, дорівнює ємності Ск-п = 3 пФ, лише в другому варіанті (Ік = 0) вона визначається послідовно включеними ємностями Ск-п і Ск-6. Час відновлення зворотного опору tвос. ха-рактерізует швидкодію діода, залежить від величини накопичуються в базі і колекторі надлишкових зарядів (рис. 6.19, в). Серед п'яти схем діодного включення тільки в першій (Uкб = 0) через колекторний перехід не відбувається інжекції носіїв заряду. У цій схемі накопичення заряду в базі відбувається тільки за рахунок інжекції з боку емітера, тому вона має найбільш ви-соким швидкодією. В інших схемах колекторний перехід відкритий, по-цьому відбувається додаткова інжекція електронів в базу з боку кол-лектора і інжекція дірок в колектор з боку бази.
Порівнюючи різні варіанти включення транзистора як діода, неважкий-но прийти до висновку, що оптимальним є перший варіант, коли Uкб = 0.
Пасивні елементи ПП ІМС
У напівпровідникових ІМС пасивні елементи зазвичай формуються на основі-ве типової структури вертикального транзистора типу п-р-п.