аморфний напівпровідник
Аморфні напівпровідники виготовляють у вигляді тонких плівок напиленням або осадженням на підкладку. Якщо температура підкладки невисока, що потрапляють на неї атоми не мають достатньої енергії для переміщення (міграції) і не можуть вишикуватися в кристалічну решітку. В результаті утворюються плівки з некристалічні структурою, характерною особливістю яких в порівнянні зі склом є відсутність ефекту розм'якшення. В процесі нагрівання такий матеріал при деякій температурі переходить з твердого некристаллического стану в кристалічний. [1]
Аморфні напівпровідники мають відносно бопьшой еластичністю постійних решітки. Тому в структурах каскадного типу, виготовлених з аморфних напівпровідникових матеріалів, пружні напруги в решітці щодо нижче, ніж в елементах на основі кристалічних матеріалів. [3]
Аморфні напівпровідники використовуються в якості тонкоплівкових оптичних хвилеводів, оптичних перемикачів і оптичних модуляторів. Описано переважно оптичні хвильові явища, що відбуваються при випромінюванні з довжиною хвилі 10 6мкм в напилених аморфних плівках Se з золотим покриттям. [4]
Аморфні напівпровідники мають ряд унікальних властивостей. Наприклад, у них яскраво виражений ефект електричного перемикання з високоомного стану в низькоомний і назад. [5]
Аморфні напівпровідники привертають велику увагу завдяки відносній легкості синтезу. Однак в даний час вони мають низьку чутливістю, і дослідження цих середовищ в першу чергу повинні бути спрямовані на підвищення чутливості до запису. [6]
Аморфні напівпровідники особливо детально досліджені в разі застосування їх в електричних схемах в якості перемикачів. Принцип роботи елемента пам'яті під дією електричного поля в аморфному полупроводнике полягає в тому, що після зняття граничної напруги виникло стан високої провідності запам'ятовується. Тому при подальшому додатку напруги вже не потрібен час на саме перемикання. [7]
Аморфні напівпровідники економічно вигідніше так як їх виготовлення не вимагає ретельно контрольованих методів вирощування кристалів. Прилади на аморфних напівпровідниках отримують широке застосування. [8]
Аморфні напівпровідники мають відносно бопьшой еластичністю постійних решітки. Тому в структурах каскадного типу, виготовлених з аморфних напівпровідникових матеріалів, пружні напруги в решітці щодо нижче, ніж в елементах на основі кристалічних матеріалів. [10]
Аморфні напівпровідники використовуються в якості тонкоплівкових оптичних хвилеводів, оптичних перемикачів і оптичних модуляторів. Описано переважно оптичні хвильові явища, що відбуваються при випромінюванні з довжиною хвилі 10 6мкм в напилених аморфних плівках Se з золотим покриттям. [11]
Ковалентні аморфні напівпровідники надалі діляться ще на два класи. До першого класу відносяться матеріали з тетраедричних спрямованістю зв'язків, такі як елементи Si, Ge і з'єднання Л1 Bv. Ці матеріали можуть бути приготовлені в аморфній фазі лише вакуумним напиленням тонких плівок. [13]
Використання аморфних напівпровідників представляється багатообіцяючим, особливо при виготовленні фотодатчиків. [14]
Для аморфних напівпровідників при низькій температурі визначальне значення може мати ld і довжина вільного пробігу буде набагато меншою, ніж в кристалах при тій же температурі. [15]
Сторінки: 1 2 3 4