Задаємо вихідними даними:
а) потужність транзистора, Р, 15 Вт;
б) температура навколишнього середовища, Тс, 30 ° С;
в) максимально допустима температура переходу, Тп, 150 ° С
г) теплове контактний опір між переходом і корпусом, Rпк, 2 ° С / Вт;
д) теплове контактний опір корпус - тепловідвід Rкр, 0.5с / Вт;
Необхідно зіставити максимальну потужність розсіювання транзистора при допустимій температурі р-п переходу Тп, температурі середовища Тс і тепловому контактному опорі Rпк із заданою потужністю транзистора
Рмах = (150-30) / 2 = 60 Вт
Якщо задана потужність Р перевищує Рмах, то даний транзистор на задану потужність застосовувати не можна.
Розраховуємо тепловий опір радіатора Rр вих, ° С / Вт;
Rр вих = 0,96 · [(150-30) - 15 (2 + 0,5)] / 15 = 6.72 ° С / Вт
де q - коефіцієнт, що враховує нерівномірний розподіл температури по теплоотводу (q = 0,96);
Rкр - теплове контактний опір між корпусом і радіатором.
Визначаємо средняю поверхневу температуру радіатора Тр, ° С:
Тр = 15 · 7,84 + 30 = 147,6 ° С
при Rр<5 Lmin выбирается по графику 1 (рис. 5.6. «Конструирование»), иначе Lmin =0.05 м.
а) товщина ребра d = 0.002 м;
б) товщина плити тепловідведення δ = 0.004 м;
в) відстань між ребрами b = 0.008 м;
г) висота ребра h = 0.02 м;
д) протяжність ребра L = 0.05 м.
Визначаємо число ребер, n. шт .:
n = (0,05 + 0,008) / (0,008 + 0,002) = 6 шт.
Рекомендується вибирати на одне ребро більше розрахункового.
Визначаємо довжина плити радіатора, l, м;
l = 0,008 · (6-1) + 2 · 0,002 = 0,044 м
Визначаємо площу гладкою (неоребренной) поверхні радіатора, Sгл, м 2;
10) Визначаємо площу оребренной поверхні одностороннього обребрена радіатора при кріпленні ППП з гладкої сторони, Sор1. м 2;