У режимі фотоперетворювача ток практично дорівнює току короткого замикання, тому чутливість фотодіода по току в обох режимах прийнято вважати однаковою. [33]
Температурні вимірювання показали, що з підвищенням температури аж до 70 С чутливість фотодіодів збільшується (приблизно 0 3 - 1% [на градус в порівнянні з кімнатною), що пов'язано зі збільшенням часом життя неосновних носіїв. При постійному рівні світлового сигналу величина струму в навантаженні зі збільшенням температури зменшується тим швидше, чим більше У. [34]
Зокрема, збільшення - - обумовлено тими ж причинами, що і залежність чутливості фотодіода від фотоструму засвічення. [35]
Фототек пов'язаний лінійною залежністю зі світловим потоком Ф: / ФАФ, де k - чутливість фотодіода. [37]
В результаті чутливість складових фототранзисторів підвищується зазвичай більш ніж в 1000 разів у порівнянні з чутливістю фотодіодів. [39]
При оптимальних значеннях параметрів RBX і RQC напруга на виході підсилювача залежить тільки від опору RQC і чутливості фотодіода. Тому при використанні в ланцюзі ОС температурно-стабільного резистора потрібно проводити температурну компенсацію тільки щодо чутливості фотодіода. [40]
Порівнюючи статичні характеристики фотодіода зі статичними характеристиками фототранзистор (рис. XII.6), можна бачити, що чутливість фототранзистора значно перевищує чутливість фотодіода і може становити близько 1 а / лм. [42]
У зв'язку з тим що розподіл енергії в спектрі джерела випромінювання залежить від його виду і від температури, а різні фотодіоди неоднаково реагують на випромінювання з різними довжинами хвиль, чутливість фотодіода прийнято вимірювати при падінні на фотодіод світлового потоку, відповідного за своїм спектральним складом випромінювання вольфрамової лампи , нитка якої напружена до температури 2360 К. Для порівняльної оцінки фотоприймачів з різних матеріалів використовується також джерело з колірною температурою 2854 К. Чутливість, з Відповідаю цих умов вимірювання, називають інтегральної. [43]
Оскільки фотодиод знаходиться під високим зворотною напругою і його початковий (темновой) струм малий, то віз дію світла призводить до великих змін напруги на опорі навантаження і, отже, чутливість фотодіода багато вище чутливості фотосопротивления і фотоелемента. [45]
Сторінки: 1 2 3 4 5