ПРИЗНАЧЕННЯ ПРИЛАДУ *)
Вимірювання товщини плівок і товщини шарів в тонкоплівкових структурах (метали, напівпровідники і діелектрики; тверді і рідкі плівки).
Вимірювання оптичних констант зразків (метали, напівпровідники і діелектрики; тверді і рідкі середовища).
Дослідження структури матеріалів (склад, нерівномірність просторового розподілу, пористість, ступінь кристалічності і ін.).
Аналіз стану поверхні і структури тонких поверхневих шарів (наявність поверхневих шарів, шорсткість поверхні наномасштабного рівня та ін.).
СФЕРА ЗАСТОСУВАННЯ *)
Технологічний контроль виготовлення тонкоплівкових структур в різних галузях, серед яких:
мікроелектроніка - компоненти і матеріали (інтегральні мікросхеми, світловипромінюючі діоди, дисплеї, пристрої пам'яті, молекулярні перемикаючі пристрої, фотодетектори, сенсори і т.д.);
телекомунікаційні системи;
системи супутникового телебачення;
енергетика (елементи сонячних батарей та ін.);
в органічній хімії - для дослідження властивостей і структури плівок органічних сполук і фізико-хімічних процесів на межах розділу середовищ;
в матеріалознавстві для дослідження структури матеріалів;
в біології та медицині - для дослідження процесів адсорбції білків, згортання крові; в офтальмології - для вивчення сітківки ока;
в екологічних дослідженнях - для контролю за наявністю і товщини плівок нафти на водних поверхнях і т.д.
*) Більш детальна інформація представлена тут (pdf-файл обсягом 414 Кб).
ОПИС ПРИЛАДУ
В основі роботи приладу - еліпсометрія. представляє собою високочутливий і точний поляризационно-оптичний метод дослідження поверхонь і кордонів розділу різних середовищ (твердих, рідких, газоподібних), заснований на вивченні зміни стану поляризації світла при відбитті тобто після взаємодії його з поверхнею кордонів розділу цих середовищ. Опис методу еліпсометрії можна подивитися тут.
Технічні характеристики:
Діапазон довжин хвиль
270 ÷ 10 0 0 нм