Ефективна маса електрона - квантово-механічного-ський параметр, який застосовується в розрахунках взаємодії електрона з кристалічною решіткою. [2]
Ефективна маса електрона в кристалі не визначає ні інерційних, ні гравітаційних його властивостей. [3]
Ефективна маса електрона обернено пропорційна обмінним інтеграла і тим самим ширині зони енергії. Оскільки при інших рівних умовах збільшення ширини зони енергії призводить до зменшення ширини забороненої зони, то можна очікувати, що в речовинах з меншою шириною забороненої зони ефективна маса електрона повинна бути менше. [4]
Ефективна маса електрона обернено пропорційна обмінним інтеграла і тим самим ширині зони енергії. Оскільки при інших рівних умовах збільшення ширини зони енергії призводить до зменшення ширини забороненої зони, можна очікувати, що в речовинах з меншою шириною забороненої зони ефективна маса електрона повинна бути менше. [5]
Ефективна маса електрона в кристалі - це маса ТАКОС вільного електрона, який під дією зовнішньої сили придбав би таке ж прискорення, як і електрон в кристалі під дією такої ж сили. Ефективна маса не визначає ні інерційності, ні гравітаційних властивостей електрона. Вона може бути більшою, меншою або рівною масі вільного електрона в кристалі. Вона може бути позитивною, негативною і рівною нулю. Ефективна маса залежить від температури, тиску, характеру і концентрації домішок, від напрямку руху електрона. Ефективна маса носіїв заряду обернено пропорційна ширині зони, в якій вони знаходяться. [6]
Ефективна маса електрона дорівнює 1 57 то, а донор можна вважати розсіює центром с; г5 - 10 - - 2 мкм. Чому рівні середня довжина вільного пробігу і середній час між зіткненнями при 300 К. [7]
Ефективна маса електрона буває менше його реальної маси, іноді, як це не парадоксально, навіть у багато разів. Ці метали свідомо діамагнітни. [8]
Зазвичай ефективна маса електрона в вільній смузі по порядку величини близька до маси вільного електрона. Вільні ж місця, що утворилися внаслідок відходу електронів найбільших енергій з нормальною смуги, еквівалентні електронів не тільки з іншої масою, а й з позитивним зарядом. Для стислості їх часто називають позитивними дірками, а викликану ними провідність - дірковим механізмом провідності. [9]
Ефективну масу електрона можна виміряти експериментально, використовуючи для цього циклотронний резонанс, сутність якого полягає в наступному. [10]
Залежність ефективної маси електрона в n - InSb від концентрації носіїв струму. [11]
Значення ефективної маси електрона т визначено з урахуванням взаємодії електронів з кристалічною решіткою, коли остання не відчуває теплових коливань. Це означає також, що електрон можна розглядати як хвилю, вільно (без загасання) поширюється в ідеальній, чи не відчуває теплових коливань, кристалічній решітці. [12]
Значення ефективної маси електронів можуть бути різні при русі в кристалі вздовж різних нееквівалентних напрямків. [13]
Розглянемо спочатку ефективну масу електрона. Якщо зона провідності характеризувалася тільки одним еліпсоїдом, ю ефективна маса була просто середнім геометричним ефективних мас для тих головних осей еліпсоїда. [14]